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एक गन डायोड, जिसे ट्रांसफ़र्ड इलेक्ट्रॉन डिवाइस (टीईडी) के रूप में भी जाना जाता है, उच्च आवृत्ति इलेक्ट्रॉनिक्स में उपयोग किए गए नकारात्मक प्रतिरोध के साथ डायोड का एक रूप है, दो टर्मिनल निष्क्रिय अर्धचालक इलेक्ट्रॉनिक घटक। यह भौतिकविद् जे बी। गुन द्वारा 1 9 62 में खोजा गया "गन प्रभाव" पर आधारित है। इसका सबसे बड़ा उपयोग इलेक्ट्रोनिक ऑसिललेटर में है, माइक्रोवेव उत्पन्न करने के लिए, जैसे कि रडार स्पीड बंदूकें, माइक्रोवेव रिले डाटा लिंक ट्रांसमीटर, और स्वचालित दरवाजा खोलने वाले।

इसका आंतरिक निर्माण अन्य डायोडों के विपरीत है, इसमें केवल एन-डीपीड अर्धचालक पदार्थ होते हैं, जबकि ज्यादातर डायोड में दोनों पी और एन-डोपड क्षेत्र शामिल होते हैं। इसलिए यह केवल एक दिशा में नहीं आती है और अन्य डायोड की तरह वर्तमान में सुधार नहीं कर सकती है, यही वजह है कि कुछ स्रोत डायोड शब्द का प्रयोग नहीं करते हैं, लेकिन टेड पसंद करते हैं। गन डायोड में, तीन क्षेत्र मौजूद हैं: उनमें से दो प्रत्येक टर्मिनल पर भारी एन-डाइप किए गए हैं, जिसमें हल्के ढंग से एन-डाइडेड सामग्री की एक पतली परत होती है। जब एक वोल्टेज को डिवाइस पर लागू किया जाता है, तो पतली मध्यम परत में विद्युत ढाल सबसे बड़ा होगा। यदि वोल्टेज बढ़ जाता है, तो परत के माध्यम से वर्तमान में पहली वृद्धि होगी, लेकिन अंत में, उच्च क्षेत्रीय मूल्यों पर, मध्य परत के प्रवाहकीय गुण बदल जाते हैं, इसकी प्रतिरोधकता बढ़ती जा रही है, और वर्तमान में गिरावट आती है। इसका मतलब है कि एक गन डायोड में इसकी वर्तमान-वोल्टेज विशेषता वक्र में नकारात्मक अंतर प्रतिरोध का क्षेत्र है, जिसमें लागू वोल्टेज की वृद्धि वर्तमान में कमी का कारण बनती है। यह प्रॉपर्टी इसे रेडियो आवृत्ति एम्पलीफायर के रूप में कार्य करने, अस्थिर और अस्थिर होने और डीसी वोल्टेज के साथ पूर्वाग्रहित होने पर इसे बढ़ाना देती है।